מספר מוצר של יצרן:
BSB012N03LX3 G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSB012N03LX3 G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 39A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
מלאי:
12801744
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSB012N03LX3 G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
39A (Ta), 180A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
169 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
16900 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
MG-WDSON-2, CanPAK M™
חבילה / מארז
3-WDSON
מידע נוסף
שמות אחרים
BSB012N03LX3G
BSB012N03LX3 G-DG
SP000597846
BSB012N03LX3 GDKR-DG
BSB012N03LX3 GDKR
BSB012N03LX3GTR
BSB012N03LX3 GCT
BSB012N03LX3GXT
BSB012N03LX3GDKR
BSB012N03LX3GXUMA1
BSB012N03LX3 GTR-DG
BSB012N03LX3 GCT-DG
BSB012N03LX3GCT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
CMS45P03H8-HF
MOSFET P-CH 30V 9.6A/45A DFN5X6
BSC010N04LSIATMA1
MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
IPA60R180P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
